Spausdinti puslapį
PSMN040-100MSEX
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
2 455 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 0,901 € |
| 10+ | 0,630 € |
| 100+ | 0,434 € |
| 500+ | 0,406 € |
| 1000+ | 0,396 € |
| 5000+ | 0,317 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
0,90 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.PSMN040-100MSEX
Užsakymo kodas2319892
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0294ohm
Transistor Case StyleSOT-1210
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation91W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Produktų apžvalga
PSMN040-100MSEX is a N-channel 100V 36.6mohm standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high-power PoE applications. It is a new standard and proprietary approaches are enabling Power-over-Ethernet (PoE) systems capable of delivering up to 90W to each powered device (PD). Such solutions place increased demands on the power sourcing equipment (PSE) in terms of “soft-start”, thermal management, and power density requirements. The applications include high-power PoE applications (60W and higher), IEEE 802.3at, and proprietary solutions.
- Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
- Low Rdson for low conduction losses
- Ultra reliable LFPAK33 package for superior thermal and ruggedness performance
- Drain-source voltage is 100V max (Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C)
- Drain current is 30A max (VGS = 10V; Tj ID drain current = 25°C)
- Total power dissipation is 91W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 66mohm max (VGS = 10V; ID = 10A; Tj = 100°C
- Gate-drain charge is 10.7nC typ (ID = 10A; VDS = 50V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 30nC typ (ID = 10A; VDS = 50V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- 4 leads SOT1210 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
SOT-1210
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
91W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0294ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000071
Produkto kilmės atsekamumas