Spausdinti puslapį
AFT27S010NT1
RF FET Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.AFT27S010NT1
Užsakymo kodas2890594
Produktų asortimentasAFT27S010N
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.AFT27S010NT1
Užsakymo kodas2890594
Produktų asortimentasAFT27S010N
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min728MHz
Operating Frequency Max3600MHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeAFT27S010N
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
3600MHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
AFT27S010N
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
728MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Techniniai duomenys (4)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001361