Spausdinti puslapį
BF991,215
RF FET Transistor, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.BF991,215
Užsakymo kodas1349658RL
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id20mA
Power Dissipation200mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSOT-143
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktų apžvalga
The BF991 is a 20V N-channel depletion mode Dual Gate MOSFET protected against excessive input voltage surges by integrated back to back diodes between gate and source. Used in VHF television tuners and FM tuners applications.
- Interconnected source and substrate
- 150°C Junction temperature
Pritaikymas
Communications & Networking, RF Communications, Consumer Electronics
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
20V
Power Dissipation
200mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
20mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-143
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hong Kong
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hong Kong
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000181
Produkto kilmės atsekamumas