Spausdinti puslapį
BLF6G21-10G
RF FET Transistor, 65 V, 10 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, SOT-538
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.BLF6G21-10G
Užsakymo kodas1892449
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation10W
Operating Frequency Min2.11GHz
Operating Frequency Max2.17GHz
Transistor Case StyleSOT-538
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
10W
Operating Frequency Max
2.17GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
2.11GHz
Transistor Case Style
SOT-538
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.003142