Spausdinti puslapį
BLF878
RF FET Transistor, 89 V, 7.6 A, 300 W, 470 MHz, 1.3 GHz, SOT-979A
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.BLF878
Užsakymo kodas1851692
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds89V
Continuous Drain Current Id7.6A
Power Dissipation300W
Operating Frequency Min470MHz
Operating Frequency Max1.3GHz
Transistor Case StyleSOT-979A
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max-
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
89V
Power Dissipation
300W
Operating Frequency Max
1.3GHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
7.6A
Operating Frequency Min
470MHz
Transistor Case Style
SOT-979A
Operating Temperature Max
-
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.023044