Spausdinti puslapį
BLL6H0514-25
RF FET Transistor, 100 V, 2.5 A, 25 W, 858 MHz, 860 MHz, SOT-467C
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.BLL6H0514-25
Užsakymo kodas1851694
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.5A
Power Dissipation25W
Operating Frequency Min858MHz
Operating Frequency Max860MHz
Transistor Case StyleSOT-467C
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
100V
Power Dissipation
25W
Operating Frequency Max
860MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
Operating Frequency Min
858MHz
Transistor Case Style
SOT-467C
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.004838