Spausdinti puslapį
BLL6H1214-500
RF FET Transistor, 100 V, 45 A, 500 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, SOT-539A
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.BLL6H1214-500
Užsakymo kodas1851698
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id45A
Power Dissipation500W
Operating Frequency Min1.03GHz
Operating Frequency Max1.09GHz
Transistor Case StyleSOT-539A
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
100V
Power Dissipation
500W
Operating Frequency Max
1.09GHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
45A
Operating Frequency Min
1.03GHz
Transistor Case Style
SOT-539A
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.020697