Spausdinti puslapį
BLL6H1214L-250
RF FET Transistor, 100 V, 42 A, 250 W, 960 MHz, 1.2 GHz, SOT-502A
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.BLL6H1214L-250
Užsakymo kodas1851697
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id42A
Power Dissipation250W
Operating Frequency Min960MHz
Operating Frequency Max1.2GHz
Transistor Case StyleSOT-502A
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
100V
Power Dissipation
250W
Operating Frequency Max
1.2GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
42A
Operating Frequency Min
960MHz
Transistor Case Style
SOT-502A
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.010327