Spausdinti puslapį
BLS6G3135-120
RF FET Transistor, 60 V, 7.2 A, 120 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, SOT-502A
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.BLS6G3135-120
Užsakymo kodas1851702
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id7.2A
Power Dissipation120W
Operating Frequency Min2.7GHz
Operating Frequency Max3.1GHz
Transistor Case StyleSOT-502A
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
60V
Power Dissipation
120W
Operating Frequency Max
3.1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
7.2A
Operating Frequency Min
2.7GHz
Transistor Case Style
SOT-502A
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.012533