Spausdinti puslapį
MHT1008NT1
RF FET Transistor, 65 V, 48.1 W, 2.4 GHz, 2.5 GHz, PLD-1.5W
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MHT1008NT1
Užsakymo kodas3370099
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation48.1W
Operating Frequency Min2.4GHz
Operating Frequency Max2.5GHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
48.1W
Operating Frequency Max
2.5GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
2.4GHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.036
Produkto kilmės atsekamumas