Spausdinti puslapį
MRF101BN
RF FET Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MRF101BN
Užsakymo kodas2985309
Produktų asortimentasMRF101AN; MRF101BN
Techninės specifikacijos
631 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 23,590 € |
| 5+ | 21,260 € |
| 10+ | 18,920 € |
| 50+ | 17,090 € |
| 100+ | 16,410 € |
| 250+ | 15,740 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
23,59 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MRF101BN
Užsakymo kodas2985309
Produktų asortimentasMRF101AN; MRF101BN
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds133V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation182W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max250MHz
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeMRF101AN; MRF101BN
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
Pritaikymas
Industrial, Communications & Networking
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
133V
Power Dissipation
182W
Operating Frequency Max
250MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
MRF101AN; MRF101BN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0004
Produkto kilmės atsekamumas