Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MRF1513NT1
Užsakymo kodas1577894RL
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation31.25W
Operating Frequency Min450MHz
Operating Frequency Max520MHz
Transistor Case StylePLD-1.5
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktų apžvalga
The MRF1513NT1 is a N-channel RF Power FET designed for broadband applications with frequencies to 520MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5V portable and 12.5V mobile FM equipment.
- Excellent thermal stability
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
- 3W Output power
- 15dB Power gain
- 65% Efficiency
Pritaikymas
Industrial, Commercial, Power Management
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
31.25W
Operating Frequency Max
520MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
450MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.004536
Produkto kilmės atsekamumas