Spausdinti puslapį
MRF377HR3
RF FET Transistor, 65 V, 10 µA, 648 W, 470 MHz, 860 MHz, NI-860C
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MRF377HR3
Užsakymo kodas1839848
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id10µA
Power Dissipation648W
Operating Frequency Min470MHz
Operating Frequency Max860MHz
Transistor Case StyleNI-860C
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
648W
Operating Frequency Max
860MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
10µA
Operating Frequency Min
470MHz
Transistor Case Style
NI-860C
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:5A991.b.4.b
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00028