Spausdinti puslapį
MRF6V2300NBR1
RF FET Transistor, 100 V, 150 mA, 300 W, 10 MHz, 600 MHz, TO-272
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MRF6V2300NBR1
Užsakymo kodas1839849
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id150mA
Power Dissipation300W
Operating Frequency Min10MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleTO-272
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
100V
Power Dissipation
300W
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
150mA
Operating Frequency Min
10MHz
Transistor Case Style
TO-272
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00028