Spausdinti puslapį
MRFE6VS25NR1
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MRFE6VS25NR1
Užsakymo kodas2776252RL
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max2000MHz
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max225°C
Product Range-
Produktų apžvalga
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
2000MHz
Operating Temperature Max
225°C
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0003
Produkto kilmės atsekamumas