Spausdinti puslapį
MRFG35002N6AT1
RF FET Transistor, 8 V, 1.7 A, 1.5 W, 500 MHz, 5 GHz, PLD-1.5
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MRFG35002N6AT1
Užsakymo kodas1577896
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id1.7A
Power Dissipation1.5W
Operating Frequency Min500MHz
Operating Frequency Max5GHz
Transistor Case StylePLD-1.5
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max85°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
8V
Power Dissipation
1.5W
Operating Frequency Max
5GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
1.7A
Operating Frequency Min
500MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5
Operating Temperature Max
85°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00028