Spausdinti puslapį
MRFX1K80NR5
RF FET Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
34 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 190,040 € |
| 5+ | 180,750 € |
| 10+ | 171,460 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
190,04 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.MRFX1K80NR5
Užsakymo kodas2985306
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds179V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation3.333kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max400MHz
Transistor Case StyleOM-1230
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
MRFX1K80NR5 is a wideband RF Power LDMOS transistor in a 4 pin OM-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to 400MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 65VDD operation
- Characterized from 30 to 65V for extended power range
- Lower thermal resistance package
- High breakdown voltage for enhanced reliability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved Class C operation
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
179V
Power Dissipation
3.333kW
Operating Frequency Max
400MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
OM-1230
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
MSL 3 - 168 hours
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.009072