Spausdinti puslapį
PMBFJ111,215
RF FET Transistor, 40 V, 20 mA, 300 mW, SOT-23
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.PMBFJ111,215
Užsakymo kodas2319256
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id20mA
Power Dissipation300mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Alternatyvos PMBFJ111,215
Rasta produktų: 6
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
300mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
20mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002