Spausdinti puslapį
PMBFJ309,215
RF FET Transistor, 25 V, 30 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23)
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Informacija apie produktą
GamintojasNXP
Gamintojo detalės nr.PMBFJ309,215
Užsakymo kodas2776236
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation250mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-236AB (SOT-23)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
25V
Power Dissipation
250mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
30mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-236AB (SOT-23)
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000073
Produkto kilmės atsekamumas