Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
62 258 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
5+ | 0,171 € |
10+ | 0,0942 € |
100+ | 0,0714 € |
500+ | 0,0482 € |
1000+ | 0,0376 € |
5000+ | 0,0316 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
0,86 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.BC847BPDW1T1G
Užsakymo kodas1653701
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max45V
Transition Frequency100MHz
Power Dissipation380mW
Continuous Collector Current100mA
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
The BC847BPDW1T1G is a NPN-PNP dual General Purpose Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a surface-mount package for low power applications.
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN, PNP
Transition Frequency
100MHz
Continuous Collector Current
100mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
380mW
Transistor Case Style
SOT-363
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos BC847BPDW1T1G
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.09
Produkto kilmės atsekamumas