Spausdinti puslapį
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 11 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 2500+ | 0,627 € |
| 7500+ | 0,626 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Full Reel)
Minimalus: 2500
Keli: 2500
1 567,50 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FCD4N60TM
Užsakymo kodas2985417
Produktų asortimentasSuperFET
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
The FCD4N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 12.8nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
- 100% avalanche tested
Pritaikymas
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Alternative Energy
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001814
Produkto kilmės atsekamumas