Spausdinti puslapį
FDP33N25
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
2 160 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,960 € |
| 10+ | 0,996 € |
| 100+ | 0,977 € |
| 500+ | 0,949 € |
| 1000+ | 0,920 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,96 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FDP33N25
Užsakymo kodas1324798
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.094ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation235W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
The FDP33N25 is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 36.8nC typical low gate charge
- 39pF typical low Crss
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
235W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.094ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002
Produkto kilmės atsekamumas