Spausdinti puslapį
FGH40T100SMD-F155
IGBT, 80 A, 2.3 V, 333 W, 1 kV, TO-247, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FGH40T100SMD-F155
Užsakymo kodas3615771
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage2.3V
Power Dissipation333W
Collector Emitter Voltage Max1kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
333W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.3V
Collector Emitter Voltage Max
1kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.1
Produkto kilmės atsekamumas