Spausdinti puslapį
FGH40T65SPD-F085.
IGBT, 80 A, 1.85 V, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FGH40T65SPD-F085.
Užsakymo kodas3615776
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation267W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
267W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Ne
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Ne
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.1