Spausdinti puslapį
J112
JFET Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pin, 150 °C
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.J112
Užsakymo kodas1017712
Jūsų dalies numeris
Techninės specifikacijos
14 841 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,490 € |
| 10+ | 0,337 € |
| 100+ | 0,138 € |
| 500+ | 0,132 € |
| 1000+ | 0,121 € |
| 5000+ | 0,114 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 5
Keli: 5
2,45 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.J112
Užsakymo kodas1017712
Techninės specifikacijos
Gate Source Breakdown Voltage Max-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max-
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-5V
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktų apžvalga
J112 is a through hole, N channel switch in TO-92 package. This device is designed for low level analogue switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.
- Source and drain are interchangeable
- Gate to source breakdown voltage of 35V
- Gate to source cut-off voltage of 5V
- Zero gate voltage drain current of 5mA
- Power dissipation (pd) of 350mW
- Operating junction temperature of -55°C to 150°C
- Drain source on resistance of 50 ohm
Techniniai duomenys
Gate Source Breakdown Voltage Max
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
5mA
Transistor Case Style
TO-92
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-
Gate Source Cutoff Voltage Max
-5V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos J112
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000218