Spausdinti puslapį
NDFPD1N150CG
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 100 mA, 100 ohm, TO-220F, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NDFPD1N150CG
Užsakymo kodas2432919
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance100ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation20W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktų apžvalga
The NDFPD1N150CG is a 1500V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with 100Ω ON-resistance RDS (ON).
- 10V Drive
- 150°C Channel temperature
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
100ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00343
Produkto kilmės atsekamumas