Spausdinti puslapį
NGTB45N60S2WG.
IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NGTB45N60S2WG.
Užsakymo kodas2492861
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current90A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation300W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Alternatyvos NGTB45N60S2WG.
Rasta produktų: 5
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
90A
Power Dissipation
300W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.004083
Produkto kilmės atsekamumas