Spausdinti puslapį
NTMFS5C670NLT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 71 A, 0.0061 ohm, DFN, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
3 616 Sandėlyje
1 500 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 50+ | 0,436 € |
| 200+ | 0,353 € |
| 500+ | 0,319 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
48,60 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NTMFS5C670NLT1G
Užsakymo kodas2508376RL
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source On State Resistance0.0061ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation61W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Produktų apžvalga
NTMFS5C670NLT1G is a single N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- Continuous drain current is 71A
- Power dissipation is 61W at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Threshold temperature coefficient is -4.7mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Input capacitance is 1400pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Turn-on delay time is 11ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 60ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Zero gate voltage drain current is 10µA maximum at (TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN5 package
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
71A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
61W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos NTMFS5C670NLT1G
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas