Spausdinti puslapį
NTZD3154NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
155 497 Sandėlyje
72 060 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,428 € |
| 10+ | 0,263 € |
| 100+ | 0,120 € |
| 500+ | 0,110 € |
| 1000+ | 0,0929 € |
| 5000+ | 0,0657 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
2,14 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NTZD3154NT1G
Užsakymo kodas2533209
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel540mA
Continuous Drain Current Id P Channel540mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
The NTZD3154NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for cell phones, digital cameras, PDAs and pagers etc. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits and battery management applications.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- Small footprint
- ESD protected gate
- Halogen-free
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
540mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
540mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.4ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000454