Spausdinti puslapį
NXH100B120H3Q0STG
IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NXH100B120H3Q0STG
Užsakymo kodas3265490
Produktų asortimentasNXH100B120H3Q0
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 14 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 69,800 € |
| 5+ | 61,080 € |
| 10+ | 50,610 € |
| 50+ | 45,370 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
69,80 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NXH100B120H3Q0STG
Užsakymo kodas3265490
Produktų asortimentasNXH100B120H3Q0
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current50A
DC Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Power Dissipation186W
Power Dissipation Pd186W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH100B120H3Q0
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation Pd
186W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation
186W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH100B120H3Q0
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0001
Produkto kilmės atsekamumas