Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NXH40T120L3Q1SG
Užsakymo kodas3265492
Produktų asortimentasNXH40T120L3Q1
Techninės specifikacijos
17 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
Kiekis | |
---|---|
1+ | 55,020 € |
5+ | 49,520 € |
10+ | 48,530 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
55,02 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NXH40T120L3Q1SG
Užsakymo kodas3265492
Produktų asortimentasNXH40T120L3Q1
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationPIM Half Bridge Inverter
Continuous Collector Current42A
DC Collector Current42A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation146W
Power Dissipation Pd146W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH40T120L3Q1
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
PIM Half Bridge Inverter
DC Collector Current
42A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
146W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Continuous Collector Current
42A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
146W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH40T120L3Q1
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0001
Produkto kilmės atsekamumas