Spausdinti puslapį
2N5457..
RF FET Transistor, 5 mA, 625 mW, TO-92
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.2N5457..
Užsakymo kodas1653694
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id5mA
Power Dissipation625mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
-
Power Dissipation
625mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
5mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-92
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Taiwan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Taiwan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00227