Spausdinti puslapį
2SK3557-7-TB-E
RF FET Transistor, 15 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.2SK3557-7-TB-E
Užsakymo kodas2317599
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds15V
Continuous Drain Current Id50mA
Power Dissipation200mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
15V
Power Dissipation
200mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
50mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000005