Spausdinti puslapį
FDMQ8403
Dual MOSFET, Quad N Channel, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FDMQ8403
Užsakymo kodas3003989
Produktų asortimentasPowerTrench GreenBridge Series
Techninės specifikacijos
14 252 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 3,810 € |
| 50+ | 2,530 € |
| 100+ | 1,900 € |
| 500+ | 1,560 € |
| 1500+ | 1,520 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
19,05 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FDMQ8403
Užsakymo kodas3003989
Produktų asortimentasPowerTrench GreenBridge Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeQuad N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel17W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench GreenBridge Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
FDMQ8403 is a MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH®,Greenbridge™ series of high-efficiency bridge rectifier. This quad MOSFET solution provides ten−fold improvement in power dissipation over diode bridge. Application includes high efficiency bridge rectifiers.
- 85mohm typical static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 3A)
- Substantial efficiency benefit in PD solutions
- Gate to source voltage is ±20V, 1nA maximum zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 80V)
- 2.8V typical drain to source breakdown voltage (VGS = VDS, ID = 250µA)
- 6S typical forward transconductance (VDS = 10V, ID = 3A)
- 4.1ns typical turn on delay time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 1.2ns typical rise time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 0.9nC typical gate to source charge (VDD = 50V, ID = 3A)
- 33ns typical reverse recovery time (IF = 3A, di/dt = 100 A/µs)
- WDFN12 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
PowerTrench GreenBridge Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Thailand
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Thailand
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0005
Produkto kilmės atsekamumas