Spausdinti puslapį
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FGA50N100BNTD2
Užsakymo kodas2860233
Produktų asortimentasTrench
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation156W
Collector Emitter Voltage Max1kV
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeTrench
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
156W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
Trench
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
1kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0002
Produkto kilmės atsekamumas