Spausdinti puslapį
FGB40N60SM
IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FGB40N60SM
Užsakymo kodas3253696
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation349W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
349W
Transistor Case Style
TO-263AB
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0003
Produkto kilmės atsekamumas