Spausdinti puslapį
NGTB15N60EG.
IGBT, 30 A, 1.7 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NGTB15N60EG.
Užsakymo kodas2216666
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation117W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Alternatyvos NGTB15N60EG.
Rasta produktų: 1
Produktų apžvalga
The NGTB15N60EG is an Insulated Gate Bipolar Transistor features a robust and non-punch through (NPT) Trench construction, provides superior performance in demanding switching applications. Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for hard switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged reverse recovery diode with a low forward voltage.
- Low saturation voltage resulting in low conduction loss
- Low switching loss in higher frequency applications
- Soft fast reverse recovery diode
- Excellent current versus package size performance density
- 10μs Short-circuit capability
Pritaikymas
Motor Drive & Control, Power Management, Consumer Electronics
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
117W
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.003629