Spausdinti puslapį
NTH4LN019N65S3H
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NTH4LN019N65S3H
Užsakymo kodas3677717
Produktų asortimentasSUPERFET III
Techninės specifikacijos
3 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 23,820 € |
| 5+ | 22,700 € |
| 10+ | 21,590 € |
| 50+ | 20,470 € |
| 100+ | 19,810 € |
| 250+ | 19,320 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
23,82 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NTH4LN019N65S3H
Užsakymo kodas3677717
Produktų asortimentasSUPERFET III
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation625W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
SUPERFET III
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0003
Produkto kilmės atsekamumas