Spausdinti puslapį
NXH350N100H4Q2F2S1G
IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NXH350N100H4Q2F2S1G
Užsakymo kodas3929807
Produktų asortimentasEliteSiC Series
Techninės specifikacijos
26 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 161,930 € |
| 5+ | 158,690 € |
| 10+ | 155,450 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
161,93 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.NXH350N100H4Q2F2S1G
Užsakymo kodas3929807
Produktų asortimentasEliteSiC Series
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationFour Pack
Continuous Collector Current303A
DC Collector Current303A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.63V
Collector Emitter Saturation Voltage1.63V
Power Dissipation592W
Power Dissipation Pd592W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Four Pack
DC Collector Current
303A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.63V
Power Dissipation Pd
592W
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Collector Current
303A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.63V
Power Dissipation
592W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.09
Produkto kilmės atsekamumas