Spausdinti puslapį
QRD1114
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
1 163 Sandėlyje
5 300 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,290 € |
| 10+ | 1,010 € |
| 25+ | 0,958 € |
| 50+ | 0,906 € |
| 100+ | 0,854 € |
| 500+ | 0,796 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,29 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.QRD1114
Užsakymo kodas1467858
Techninės specifikacijos
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width-
Sensing Distance1.27mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Forward Current If50mA
Reverse Voltage Vr5V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max1mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
The QRD1114 is a Reflective Object Sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon photodarlington mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1114. The photodarlington responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- Phototransistor Output
- No Contact Surface Sensing
- Unfocused for Sensing Diffused Surfaces
- Daylight Filter on Sensor
Pritaikymas
Automation & Process Control, Building Automation, Medical, Test & Measurement
Techniniai duomenys
Sensing Method
Reflective
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
5V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
-
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage Max
30V
Collector Current IC Max
1mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Thailand
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Thailand
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000318
Produkto kilmės atsekamumas