Spausdinti puslapį
TP65H100G4LSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasRENESAS
Gamintojo detalės nr.TP65H100G4LSGB-TR
Užsakymo kodas4680951RL
Techninės specifikacijos
3 000 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 3,280 € |
| 500+ | 2,900 € |
| 1000+ | 2,520 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 150
Keli: 1
492,00 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasRENESAS
Gamintojo detalės nr.TP65H100G4LSGB-TR
Užsakymo kodas4680951RL
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id18.9A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Typical Gate Charge14.4nC
No. of Pins8Pins
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
18.9A
Typical Gate Charge
14.4nC
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001