Spausdinti puslapį
HT8KE6HTB1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 100 V, 12.5 A, 0.006 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
100 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,742 € |
| 500+ | 0,669 € |
| 1000+ | 0,647 € |
| 5000+ | 0,577 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
79,20 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasROHM
Gamintojo detalės nr.HT8KE6HTB1
Užsakymo kodas4633522RL
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel12.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.006ohm
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel14W
Operating Temperature Max150°C
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source On State Resistance N Channel
0.006ohm
Power Dissipation N Channel
14W
Continuous Drain Current Id N Channel
12.5A
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150°C
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Japan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Japan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00001
Produkto kilmės atsekamumas