Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
230 615 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
5+ | 0,771 € |
10+ | 0,470 € |
100+ | 0,340 € |
500+ | 0,240 € |
1000+ | 0,213 € |
5000+ | 0,187 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
3,86 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasROHM
Gamintojo detalės nr.QS6M3TR
Užsakymo kodas1525473
Techninės specifikacijos
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.5A
Continuous Drain Current Id P Channel1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.17ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.17ohm
Transistor Case StyleTSMT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktų apžvalga
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Pritaikymas
Industrial, Power Management, Portable Devices, Motor Drive & Control
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.17ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.17ohm
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000014