Spausdinti puslapį
UMX1NTN
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
2 540 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,399 € |
| 10+ | 0,250 € |
| 100+ | 0,159 € |
| 500+ | 0,119 € |
| 1000+ | 0,094 € |
| 5000+ | 0,0845 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 5
Keli: 5
2,00 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasROHM
Gamintojo detalės nr.UMX1NTN
Užsakymo kodas1680410
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN150mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN150mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN120hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN180MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktų apžvalga
The UMX1NTN is a dual NPN general purpose amplification Bipolar Transistor with epitaxial planar type NPN silicon structure. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
- Transistor elements are independent, eliminating interference
Pritaikymas
Motor Drive & Control, Communications & Networking, Portable Devices, Industrial, Power Management
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
150mA
Power Dissipation NPN
150mW
DC Current Gain hFE Min NPN
120hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
180MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Japan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Japan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000136
Produkto kilmės atsekamumas