Spausdinti puslapį
SKHI 22A H4 R
IGBT Driver, Half Bridge, 8 A, 14.4 V to 15.6 V, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSEMIKRON
Gamintojo detalės nr.SKHI 22A H4 R
Užsakymo kodas2423646
Produktų asortimentasSEMIDRIVER Series
Techninės specifikacijos
57 Sandėlyje
12 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 231,340 € |
| 5+ | 228,830 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
231,34 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSEMIKRON
Gamintojo detalės nr.SKHI 22A H4 R
Užsakymo kodas2423646
Produktų asortimentasSEMIDRIVER Series
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current-
Collector Emitter Saturation Voltage-
Driver ConfigurationHalf Bridge
Power Dissipation-
Power Switch TypeIGBT
Operating Temperature Max85°C
Transistor Case StyleSMD
IC Case / PackageModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT Technology-
Transistor MountingSurface Mount
Supply Voltage Min14.4V
Product RangeSEMIDRIVER Series
Supply Voltage Max15.6V
Operating Temperature Min-40°C
Input Delay1µs
Output Delay1µs
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Produktų apžvalga
SKHI 22A H4 R is a SEMIDRIVER™ hybrid dual IGBT driver. It is used for IGBT modules in bridge circuits in industrial applications.
- Compatible to old SKHI 22, turn on gate voltage output is 15V typical
- CMOS compatible inputs, turn off gate voltage output is -7V typical
- Short protection by VCE monitoring and switch off
- Drive interlock top/bottom, internal gate emitter resistance is 22Kohm typical
- Isolation by transformers, input to output turn on propagation time is 1µs typical
- Supply undervoltage protection (13V)
- Error latch/output, error reset time is 9µs typical
- Supply voltage primary side is 15V typical
- Supply current primary side (no load) is 80mA typical
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
-
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
85°C
IC Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SEMIDRIVER Series
Operating Temperature Min
-40°C
Output Delay
1µs
Continuous Collector Current
-
Driver Configuration
Half Bridge
Power Switch Type
IGBT
Transistor Case Style
SMD
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Supply Voltage Min
14.4V
Supply Voltage Max
15.6V
Input Delay
1µs
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.061991