Spausdinti puslapį
SKM100GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
16 Sandėlyje
40 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 107,880 € |
| 5+ | 100,100 € |
| 10+ | 90,960 € |
| 50+ | 87,650 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
107,88 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSEMIKRON
Gamintojo detalės nr.SKM100GB12T4
Užsakymo kodas2423682
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current160A
Continuous Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Produktų apžvalga
The SKM100GB12T4 is a SEMITRANS® 2 fast IGBT Module use with electronic welders at fsw up to 20kHz and AC inverter drives. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Pritaikymas
Power Management, Maintenance & Repair
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SKM100GB12T4
Rasta produktų: 3
Susiję produktai
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Slovak Republic
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Slovak Republic
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.18
Produkto kilmės atsekamumas