Spausdinti puslapį
SKM200GB125D
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
1 Sandėlyje
10 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 316,410 € |
| 5+ | 315,870 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
316,41 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSEMIKRON
Gamintojo detalės nr.SKM200GB125D
Užsakymo kodas2423692
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current200A
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Produktų apžvalga
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SKM200GB125D
Rasta produktų: 1
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Slovak Republic
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Slovak Republic
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.18
Produkto kilmės atsekamumas