Spausdinti puslapį
GD300HFX65C6S
IGBT Module, Half Bridge, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
10 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
1+ | 96,280 € |
5+ | 90,900 € |
10+ | 84,850 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
96,28 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTARPOWER
Gamintojo detalės nr.GD300HFX65C6S
Užsakymo kodas3912077
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current343A
DC Collector Current343A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation819W
Power Dissipation Pd819W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
343A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
819W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
343A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
819W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.2