Spausdinti puslapį
BDX53C
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, TO-220, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.BDX53C
Užsakymo kodas9946497
Techninės specifikacijos
2 018 Sandėlyje
800 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,200 € |
| 10+ | 0,921 € |
| 100+ | 0,539 € |
| 500+ | 0,427 € |
| 1000+ | 0,383 € |
| 5000+ | 0,319 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,20 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.BDX53C
Užsakymo kodas9946497
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd60W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The BDX53C from STMicroelectronics is a through hole complementary power darlington transistor in TO-220 package. This device manufactured in planar base island technology with monolithic darlington configuration. This transistor features good DC gain and high fT frequency. BDX53C is typically suited for linear, switching industrial equipment and audio amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
- Collector current (Ic) is 8A
- Power dissipation (Pd) is 60W
- Collector to emitter saturation voltage of 2V at 3A collector current
- DC current gain (hFE) of 750 at 3A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
Pritaikymas
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
60W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
750hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
8A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos BDX53C
Rasta produktų: 2
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002
Produkto kilmės atsekamumas