Spausdinti puslapį
BFY51.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 1 A, 800 mW, TO-5, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.BFY51.
Užsakymo kodas357571
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation800mW
Transistor Case StyleTO-5
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency110MHz
DC Current Gain hFE Min15hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-5
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
15hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
800mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
110MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Italy
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Italy
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS suderinamumas:Ne
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Ne
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0024